전기컴퓨터공학부 전기공학전공 남일구(사진) 교수가 2월 13일부터 15일까지 강원도 웰리힐리파크에서 개최된 ‘제26회 한국반도체학술대회’에서 ‘제3회 강대원賞’을 수상했다.

‘강대원賞’은 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)을 세계 최초로 개발해 트랜지스터의 미세화 및 대량 생산에 공헌하고, NAND Flash에서 사용되는 플로팅 게이트(Floating Gate) 기술을 최초로 개발하는 등 반도체 역사에서 기념비적인 업적을 남긴 한국이 낳은 세계적인 반도체 연구자 고(故) 강대원 박사(1931-1992)의 업적을 기리기 위해 제정된 상이다.

회로 및 시스템 분야 전문가인 남일구 교수는 무선 주파수 CMOS 송수신기 제품 개발에 적용되는 저주파수 잡음 문제와 오프셋 문제 등을 획기적으로 개선했다. 발표한 관련 논문의 피인용 횟수가 300회를 넘는 등 이 분야 학문 발전에 기여한 업적을 인정받아 수상자로 선정됐다.

한편, 이번 학술대회는 DB하이텍과 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합 공동주관으로 열렸다.

(2019.2.19.)